RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 7, страницы 579–580 (Mi qe994)

Письма в редакцию

Создание плазмы с температурой 1 кэВ при воздействии субпикосекундного лазерного импульса с контрастом 1012 на твердое тело

Л. Л. Лосев, В. И. Сосков

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Методом измерения потенциала мишени определена пиковая электронная температура плазмы, созданной при воздействии на металлическую мишень лазерного импульса c длительностью 0.8 пс и контрастом выше 1012. Установлено, что электронная температура растет линейно с интенсивностью излучения, достигая 1 кэВ при 2.3·1016 Вт/см2. Показано, что при наклонном падении излучения на мишень электронная температура не зависит от поляризации светового поля. Дана интерпретация наблюдаемого эффекта на основе обратнотормозного поглощения в плазме, плотность которой достигает плотности твердого тела.

PACS: 52.50.Jm, 52.25.Nr, 52.25.Kn

Поступила в редакцию: 27.02.1997


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1997, 27:7, 563–564

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024