RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 2, страницы 378–382 (Mi qe9941)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазер с электронной накачкой в УФ области спектра

Л. Н. Курбатов, Г. С. Козина, Т. А. Костинская, В. С. Рудневский, А. Н. Лобачев, В. А. Кузнецов, И. П. Кузьмина, Ю. В. Шалдин, А. А. Штернберг


Аннотация: Создан отпаянный полупроводниковый лазер с электронным возбуждением на УФ область спектра ($\lambda_1=336$ нм и $\lambda_2=375$ нм). В качестве мишени использованы объемные монокристаллы окиси цинка и сульфида цинка, выращенные гидротермальным методом. Получены значения импульсной мощности излучения в несколько сот ватт и расходимость в несколько градусов.

УДК: 621.373.826.825.4

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 18.07.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:2, 215–217

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024