RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 3, страницы 621–624 (Mi qe9992)

Краткие сообщения

Об исследовании ВКР в световоде методом регистрации встречных накачке стоксовых компонент

В. С. Бутылкин, В. В. Григорьянц, М. Е. Жаботинский, А. С. Петросян, В. И. Смирнов

Институт радиотехники и электроники АН СССР, Москва

Аннотация: Обсуждается метод исследования динамики ВКР в световодах, основанный на регистрации излучения стоксовых компонент, распространяющихся навстречу импульсам накачки. Показано, что встречное излучение возникает в результате релеевского рассеяния стоксовой компоненты ВКР, попутной накачке, если длительность импульса накачки много меньше времени его прохождения через световод, а энергия импульса недостаточна для того, чтобы за время, равное его длительности, происходило заметное преобразование накачки во встречные стоксовы компоненты ВКР и BPМБ. При этих условиях нелинейные искажения регистрируемого сигнала незначительны. В качестве примера использования метода определены локальные коэффициенты усиления стоксовой компоненты ВКР, возбуждаемого излучением накачки на длине волны 0,53 мкм в кварцевом волоконном световоде длиной 650 м, и декремент затухания этой компоненты на его конечном участке.

УДК: 535.375:681.7.068.4

PACS: 42.65.Cq, 42.80.Mv

Поступила в редакцию: 25.06.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:3, 351–353

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024