Осаждение диэлектрических слоев из газовой фазы

Обобщены сведения о методах химического осаждения из газовой фазы тонких слоев диэлектриков на основе нитрида, оксинитрида и диоксида кремния, а также фосфор- и борсодержащих силикатных стекол. Описаны аппаратура и методология осаждения слоев. Особое внимание уделено анализу и обсуждению кинетики осаждения и кинетическим моделям роста слоев. Охарактеризованы процессы роста слоев и приведены данные об основных физико-химических свойствах тонкослойных ковалентных диэлектрических материалов.
Библиография — 139 ссылок.