Аннотация:
Проанализированы работы по созданию новых неорганических материалов для газовых сенсоров на основе полупроводниковых структур. Обсуждено влияние адсорбированных молекул на электронное состояние, электропроводность поверхности и внутренних границ раздела в полупроводниковых материалах. Механизм газовой чувствительности рассмотрен на примерах структур металл/диэлектрик/полупроводник, полупроводник/диэлектрик/полупроводник, металл/полупроводник и полупроводник/полупроводник. Отмечены особенности поведения гетероструктур на основе нанокристаллических оксидов металлов на подложках из монокристаллического кремния с диэлектрическим слоем SiO2. Описаны сенсорные свойства полупроводниковых структур при детектировании различных молекул. Библиография — 114 ссылок.