Химия процессов целенаправленного создания функциональных диэлектрических слоев на полупроводниках при их примесном термооксидировании

Рассматриваются процессы роста пленочных слоев с диэлектрическими свойствами на поверхности полупроводников при термическом окислении в присутствии специально введенных в систему примесных соединений. На примерах термического окисления кремния и арсенида галлия показано, что примеси существенно влияют на кинетику и механизм формирования диэлектрических оксидных слоев, ускоряя процесс, снижая время высокотемпературной обработки, изменяя в широких пределах состав и свойства полученных пленок. Выявлены закономерности процессов примесного термооксидирования полупроводников, обусловленные классом вводимых примесных соединений. Обсуждены основные критерии подбора примесей, целенаправленно влияющих на процесс окисления, рассмотрены способы их введения в систему, проанализированы экспериментальные результаты, касающиеся кинетики и механизма подобных процессов.
Библиография – 90 ссылок.