Оптимизационный анализ задач электростатической маскировки

Рассматриваются обратные задачи электростатики, возникающие при проектировании двумерных многослойных экранирующих и маскировочных устройств. C использованием оптимизационного метода рассматриваемые обратные задачи сводятся к конечномерным экстремальным задачам, в которых постоянные диэлектрические проницаемости каждого слоя играют роль управляющих параметров. Разрабатывается численный алгоритм их решения, основанный на методе роя частиц. Показывается, что устройства, спроектированные с помощью предложенного алгоритма, обладают наивысшей маскировочной эффективностью и простотой технической реализации.