RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Сибирский журнал индустриальной математики // Архив

Сиб. журн. индустр. матем., 1999, том 2, номер 2, страницы 15–23 (Mi sjim62)

Асимптотическая устойчивость состояния равновесия для упрощенной газодинамической модели переноса заряда в полупроводниках

А. М. Блохин, А. С. Бушманова


Аннотация: Исследуется упрощенная газодинамическая модель переноса заряда в полупроводниках. Рассматривается смешанная задача, соответствующая известной в физике полупроводников задаче о баллистическом диоде. Доказана асимптотическая устойчивость (по Ляпунову) состояния равновесия при определенных ограничениях на начальные данные задачи и функцию плотности легирования.

УДК: 517.958

Статья поступила: 12.03.1999



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024