Математическое моделирование распределения экранирующего тока и гистерезис намагниченности коротких цилиндров жестких сверхпроводников 2-го
рода в приближении Бина
Аннотация:
В работе найдена простая аналитическая зависимость распределения
экранирующего сверхпроводящего тока в рамках модели Бина с учетом
искривления линий магнитного поля, жестких сверхпроводников второго рода
имеющих форму цилиндров конечной длины и дисков (таблеток) находящихся в
критическом состоянии. На основе найденного распределения рассчитаны полная
напряженность магнитного поля и петля гистерезиса намагниченности образцов
вышеуказанной формы в разных случаях.
Ключевые слова:жесткий сверхпроводник второго рода,
высокотемпературный сверхпроводник, критическое состояние, критическая
плотность тока, намагниченность, интегральное уравнение первого рода, карта
распределения экранирующего сверхтока.
Первая страница:
PDF файл