Локальная динамика модели полупроводникового лазера с запаздыванием

Изучается модель с запаздыванием полупроводникового лазера. Исследована устойчивость состояния равновесия, выделены бифуркационные значения параметров. Как оказалось, возникающие критические случаи имеют бесконечную размерность. В ситуациях, когда значения параметров близки к критическим, построены уравнения первого приближения для определения асимптотических разложений амплитуд решений. Эти уравнения имеют вид нелинейных краевых задач параболического типа, содержащих в ряде случаев интегральные слагаемые в нелинейности. Приведены асимптотические формулы, связывающие решения исходной модели и построенных краевых задач.