Асимметрическая реакция полупроводниковых лазеров в оптических системах

Симметрия оптического излучения полупроводникового лазерного диода, имеющего переднюю и заднюю грани с одинаковой отражательной способностью, нарушается впрыскиванием с одной стороны отраженного сигнала даже очень слабой интенсивности: эта асимметрия должна быть принята во внимание при конструировании лазерных комплексов и интегральных цепей. Работа представляет собой систематическое экспериментальное исследование этой асимметрии. Поведение системы, т. е. появление определенных асимметрических особенностей с сохранением симметрии остальных параметров, можно объяснить на основе микроскопической модели, обеспечивающей связь оптических выходов двух граней.