Теория двухэкситонного поглощения света при учете колебаний решетки

Рассматривается двухэкситонное поглощение света в молекулярных кристаллах при отличных от нуля температурах. Предлагается унитарное преобразование, позволяющее частично диагонализовать оператор энергии кристалла и непосредственно исследовать случаи как сильной, так и слабой экситон-фононной связи. Для случая сильной связи получены зависимость интенсивности линий двойного поглощения от температуры и зависимость от температуры энергетического расстояния между линиями перестановочного дублета. Учет экситон-фононного взаимодействия приводит также к возможности появления новых линий. Получены формулы для коэффициента поглощения света кристаллом в области частот, отвечающей возбуждению двух френкелевских экситонов и фононов.