Влияние фононной подсистемы на вероятность образования собственных точечных дефектов в неметаллических кристаллах

Получено самосогласованное уравнение для средней концентрации вакансий в кристалле, учитывающее влияние фононов. Принято во внимание изменение фононного спектра решетки при наличии дефектов. Показано, что появление резонансного уровня в колебательном спектре может приводить при достаточно низких температурах к заметному понижению энергии активации вакансий.