Эта публикация цитируется в
12 статьях
Модель Изинга в полупространстве. Серия фазовых переходов при малых магнитных полях
А. Г. Басуев Санкт-Петербургский государственный университет технологии и дизайна
Аннотация:
Для модели Изинга в полупространстве при низких температурах и “неустойчивом граничном условии” доказано, что при каждом значении внешнего магнитного поля
$\mu$ существует такой слой спинов, примыкающих к подложке, толщиной
$q(\mu)$, что внутри этого слоя среднее значение спина близко к
$-1$, вне этого слоя близко к
$+1$. При уменьшении
$\mu$ в точках
$\mu_q$ толщина слоя
$(-1)$-спинов меняется скачком на единицу, причем
$q(\mu)\to\infty$ при
$\mu\to+0$. В точках
$\mu_q$ разрыва
$q(\mu)$ сосуществуют две поверхностные фазы. Поверхностная свободная энергия кусочно-аналитична в области
$\operatorname{Re}q\mu>0$ и при низких температурах. Рассмотрена модель Изинга в полупространстве с произвольным внешним полем в нулевом слое и исследована соответствующая фазовая диаграмма. Доказано правило
Антонова. Построено уравнение состояния в низших порядках с точностью до
$x^7$,
$x=e^{-2\varepsilon}$, в частности, с этой точностью найдены точки сосуществования фаз
$0,1,2$ и фаз
$0,2,3$, где номер фазы соответствует высоте слоя неустойчивых спинов над подложкой.
Ключевые слова:
многофазная контурная модель, гамильтониан границы, кластерное разложение гамильтониана границы, поверхностное натяжение, фазовая диаграмма поверхностных фаз, фазовый переход полного и пластичного смачивания. Поступило в редакцию: 29.09.2006
После доработки: 20.03.2007
DOI:
10.4213/tmf6136