RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Теоретическая и математическая физика // Архив

ТМФ, 2013, том 176, номер 3, страницы 444–457 (Mi tmf8453)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Рассеяние электрона на кристаллическом слое

Т. С. Тинюковаa, Ю. П. Чубуринb

a Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
b Физико-технический институт УрО~РАН, Ижевск, Россия

Аннотация: Рассмотрен одночастичный дискретный оператор Шредингера $H$ с периодическим потенциалом, возмущенным функцией $\varepsilon W$, периодической по двум переменным и экспоненциально убывающей по третьей; здесь $\varepsilon$ – малый параметр. Исследуется задача рассеяния для оператора $H$ вблизи точки экстремума по третьей координате квазиимпульса для некоторого собственного значения оператора Шредингера с периодическим потенциалом в ячейке, другими словами, для малой перпендикулярной составляющей угла падения частицы на потенциальный барьер $\varepsilon W$. Получены простые формулы для вероятностей прохождения и отражения.

Ключевые слова: дискретный оператор Шредингера, возмущенный периодический оператор, вероятности прохождения и отражения.

Поступило в редакцию: 07.12.2012
После доработки: 21.01.2013

DOI: 10.4213/tmf8453


 Англоязычная версия: Theoretical and Mathematical Physics, 2013, 176:3, 1207–1219

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024