RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Теоретическая и математическая физика // Архив

ТМФ, 2018, том 194, номер 1, страницы 151–167 (Mi tmf9393)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Статическая зарядовая восприимчивость в $t$-$J$-$V$ модели

Дан Тунг Нгун, Н. М. Плакида

Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Московская обл., Россия

Аннотация: Рассматривается статическая зарядовая восприимчивость и корреляционная функции плотности зарядов в двумерной t-J-V модели на основе метода уравнений движения для функции релаксации от операторов Хаббарда. Получена зависимость восприимчивости и корреляционной функции от концентрации дырок и температуры. Показано, что при достаточно сильном межузельном кулоновском в системе возможно появление волн зарядовой плотности.

Ключевые слова: сильные электронные корреляции, зарядовая восприимчивость, высокотемпературная сверхпроводимость, t-J-V модель.

Поступило в редакцию: 28.04.2017

DOI: 10.4213/tmf9393


 Англоязычная версия: Theoretical and Mathematical Physics, 2018, 194:1, 127–141

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024