Самосогласованный подход к решению проблемы образования кристаллических решеток в электронно-дырочной плазме

Гамильтониан Хаббарда для электронов $ns$-зон атомов кристалла преобразован в электронно-дырочный гамильтониан с помощью операторов Шибы. Этот гамильтониан используется для изучения поведения электронно-дырочной системы в зависимости от значений ее внутренних и внешних параметров. Показано, что в данной двухкомпонентной системе, в отличие от однокомпонентной электронной системы, нет условий для возникновения структурных фазовых переходов.