Л. А. Жиляков, А. В. Костановский, Г. П. Похил, “Условие формирования 2D кулоновского кристалла на поверхности диэлектрика”, ТВТ, 2008, том 46, выпуск 5,страницы 786

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

Условие формирования 2D кулоновского кристалла на поверхности диэлектрика

Л. А. Жиляков^a, А. В. Костановский^a, Г. П. Похил^b

^a Объединенный институт высоких температур РАН, г. Москва
^b Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, МГУ им. М. В. Ломоносова

Аннотация: В представленной работе рассмотрен вопрос о распределении точечных зарядов на поверхности равномерно заряженной диэлектрической пластины и получено выражение для критерия формирования 2D кулоновского кристалла. Данный критерий не зависит от поверхностной плотности заряда, а определяется только температурой поверхности диэлектрика. При комнатной температуре совокупность точечных зарядов на диэлектрической поверхности может рассматриваться как 2D кулоновский кристалл.

УДК: 537.213

PACS: 73.20.-r

Поступила в редакцию: 30.10.2007