Распространение сверхкороткого терагерцевого импульса с высокой амплитудой электрического поля в образце кремния

Представлена расчетная модель динамики ТГц-импульса, падающего на образец беспримесного кремния, с амплитудой электрического поля до $23$ МВ/см. Показано, что движение двухпериодного ТГц-импульса будет сопровождаться в результате ударной ионизации резким ростом концентрации свободных носителей до уровня $\sim 10^{19}$ cм$^{-3}$ на входной поверхности и медленным спадом по глубине до $\sim10^{17}$ cм$^{-3}$ на выходе из образца. Показана необходимость подтверждения расчетной модели экспериментальными измерениями скорости ударной ионизации при заданных параметрах ТГц-импульса.