Аннотация:
Количественный анализ структурных факторов и кривых радиального распределения атомов, полученных при рентгенографическом исследовании в широком температурном интервале, показывает принципиальное отличие в строении расплавов нормальных плотноупакованных металлов и полуметаллов $(\text{Ga}$, $\text{Bi})$. Расчет температурной зависимости конфигурационной составляющей энтропии полуметаллов подтверждает наличие в микрогетерогенной структуре расплавов ковалентной составляющей кластерного характера. Процессы плавления-кристаллизации, изучаемые методом акустической эмиссии, для полуметаллов имеют ступенчатый характер, обусловленный некогерентностью металлической и ковалентной составляющих структуры. Процесс кристаллизации эвтектических сплавов на основе галлия и висмута усложняется наличием квазиэвтектической микросегрегации, что оказывает влияние как на структурные параметры, так и на конфигурационную составляющую энтропии.