Аннотация:
Проведено экспериментальное исследование массопереноса $\mathrm{Ag}$ в монокристаллическиом германии. Показано, что при плотностях тока $j=10^6$ А/м$^2$ перемещение примеси в объеме осуществляется в виде расплавленных включений. Произведена оценка эффективного заряда $\mathrm{Z}^*$ атомов полупроводников в расплаве и коэффициента Пельтье $P$ межфазной границы полупроводник–расплав. С помощью метода высокотемпературной оптической микроскопии исследован массоперенос расплава $\mathrm{Ag}$– $\mathrm{Ge}$ по поверхности германия. Отмечено существенное влияние электрокапиллярной составляющей скорости при поверхностной миграции в электрическом поле. По разности скоростей объемного и поверхностного движения рассчитана поверхностная плотность заряда переноса $e^*$, локализуемого в капле на границе с кристаллом.