Определение температуры по интенсивности линий $\mathrm{Cs}$ и $\mathrm{Li}$ в слое испарения при сверхзвуковом обтекании конуса. Теоретическое исследование

На основе метода кривых роста для интенсивности излучения предложен способ для определения температуры и электронной концентрации в пристеночном слое плазмы. Использованы результаты измерений интенсивности излучения продуктов испарения $\mathrm{CsCl}$ и $\mathrm{LiF}$ с боковой поверхности конуса при сверхзвуковом обтекании потоком ионизованного воздуха. Проведены расчеты параметров при разном процентном содержании элементов $\mathrm{Cs}$ и $\mathrm{Li}$ в индикаторном покрытии.