Аннотация:
На основании разработанной методики идентификации теплотехнологических параметров построена оптимальная стратегия управления режимом активационного отжига полупроводниковых пластин с учетом ограничений на максимальные градиент и перепад температур по толщине пластины. Исследована динамика распределения примеси в активированном слое пластины при различных режимах активационного отжига.
Полный текст:
PDF файл (344 kB)