RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Теплофизика высоких температур // Архив

ТВТ, 1991, том 29, выпуск 6, страницы 1060–1065 (Mi tvt4500)

Исследование плазмы

Прилипание электрона к молекуле $\mathrm{N}_2\mathrm{O}$ в слабоионизованной плазме

Н. Л. Александров, А. М. Кончаков

Московский физико-технический институт

Аннотация: Изучен механизм прилипания электрона к молекуле $\mathrm{N}_2\mathrm{O}$ в слабоионизованной плазме при наличии внешнего электрического поля. Проведен расчет константы скорости диссоциативного прилипания с учетом неравновесности энергетического распределения электронов. Показано, что наблюдаемое в эксперименте [5] с электронными «роями» эффективное трехчастичное прилипание объясняется диссоциативным прилипанием к молекуле $\mathrm{N}_2\mathrm{O}$ и ионно-молекулярными реакциями, приводящими к освобождению электронов или образованию сложных отрицательных ионов.

УДК: 537.56

Поступила в редакцию: 07.05.1991


 Англоязычная версия: High Temperature, 1991, 29:6, 850–855

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024