О динамическом подавлении ионизационной неустойчивости

Рассмотрен способ моделирования фарадеевского и холловского типа включения МГД-устройства, учтено влияние нагрузки на эффективные параметры плазмы. Проведен линейный и нелинейный анализ развития и возможности подавления ионизационной неустойчивости в плазме при периодическом изменении направления вектора среднего тока в канале МГД-устройства. Получены ограничения на величины внешней нагрузки, параметра Холла и частоту изменения направления тока, обусловленную изменением типа включения МГД-устройства, необходимые как для полного, так и частичного подавления ионизационной неустойчивости. Проведено сравнение рассчитанных эффективных параметров плазмы с экспериментальными данными.