К вопросу о поверхностной миграции ионов цезия в присутствии тормозящего электрического поля

В работе приведены примеры расчетов коэффициентов так называемой пристеночной диффузии ионов цезия, явления, которое характерно в условиях существования на поверхности электродов запирающего ионы электрического поля.
Получены зависимости коэффициента диффузии ионов цезия от температуры поверхности электродов для низких степеней покрытия по­верхности для случаев распределения тормозящего потенциала вблизи электрода в форме Бурсиана–Лэнгмюра.