Аннотация:
Исследуется динамический метод подавления ионизационной неустойчивости. Проведено сравнение к.п.д. МГД-устройства, работающего в режиме фарадеевского включения с развитой ионизационной неустойчивостью, и МГД-устройства, работающего в режиме динамического подавления ионизационной неустойчивости. Показано, что при определенном выборе параметров внешней цепи существует выигрыш в электрическом и политропическом к.п.д., а также в мощности МГД-устройства, работающего в режиме динамического подавления ионизационной неустойчивости. Обсуждается возможность практической реализации динамического метода подавления ионизационной неустойчивости с помощью силовых полупроводниковых приборов.