Анизотропия кинетических свойств осмия при высоких температурах

Приведены результаты исследований коэффициентов электросопротивления (от $290$ до $1600$ K) и температуропроводности (от $900$ до $3300$ K), а также получены данные о коэффициенте теплопроводности монокристаллического осмия в базисной плоскости и вдоль гексагональной оси при высоких температурах. Получено, что анизотропия кинетических свойств, достигая $60\%$ при $900$–$1000$ K, далее монотонно падает и выше $3000$ K становится соизмеримой с погрешностью эксперимента. Приведены результаты расчетов температурной зависимости коэффициента анизотропии и показано, что рассчитанные на основе обычной теории электрон-фононного рассеяния эффекты заметно меньше наблюдаемых. Показано, что при высоких температурах уменьшение длины свободного пробега носителей может приводить к росту неопределенности их квазиимпульса, соизмеримой с его анизотропией, что и приводит к исчезновению анизотропии кинетических коэффициентов.