О кристаллизации полупроводников в постоянном электрическом поле

Исследовалось влияние плотности постоянного электрического тока $j$ (а/см$^2$) на процессы кристаллизации сложных полупроводников на основе теллура. Под действием $j$ граница раздела между твердым полупроводником и его расплавом для $\rm Te{,}\,\rm Sb_2\rm Te_3{,}\,\rm GeTe$ и $\rm SnTe$ перемещалась в направлении положительного электрода, в то время как для $\rm Bi_2\rm Te_3$ – отрицательного. В $\rm PbTe$ постоянный ток не оказывал никакого влияния на процессы кристаллизации.Рассмотрены процессы кристаллизации полупроводников в электрическом поле. Найденные зависимости хорошо согласуются с опытом. Отмечено, что обработка экспериментальных данных по предлагаемым уравнениям позволяет более точно оценить значения термоэлектрических параметров на межфазной границе по сравнению с известным соотношением Бардина. Оценены значения коэффициентов Пельтье $(P{,}\,b)$ и Зеебека $(\alpha$, в/град$)$. Их абсолютные значения закономерно уменьшаются с увеличением молекулярного веса соединений.