RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Успехи физических наук // Архив

УФН, 1995, том 165, номер 2, страницы 213–220 (Mi ufn1055)

Эта публикация цитируется в 14 статьях

МЕТОДИЧЕСКИЕ ЗАМЕТКИ

Эффект де Гааза–ван Альфена — пример электронного топологического перехода первого рода

Я. М. Блантерa, М. И. Кагановb, Д. В. Посвянскийc

a Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет)
b Институт физических проблем им. П. Л. Капицы РАН, г. Москва
c Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва

Аннотация: Предлагается описание эффекта де Гааза–ван Альфена и поведения сверхрешетки в квантующем магнитном поле в терминах электронного топологического перехода. Показано, что вблизи перехода нарушается условие термодинамической устойчивости, что “ликвидирует” переход $1\frac12$; рода и вызывает фазовый переход первого рода (по магнитному полю). Последний выражается в образовании кондоновских диамагнитных доменов.

PACS: 05.50.+q, 05.70.Fh, 75.10.Jm, 75.90.+w

Поступила: 1 января 1995 г.

DOI: 10.3367/UFNr.0165.199502f.0213


 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 1995, 38:2, 203–209

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024