Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах

Обсуждается состояние проблемы заряженных дислокаций в полупроводниковых кристаллах германия и кремния. Для описания равновесных свойств пластически деформированных германия и кремния использована феноменологическая модель электронного спектра на заряженных дислокациях в этих кристаллах, развивающая представления Шокли–Рида. Модель содержит два акцепторных уровня $E_1$ и $E_2$, а также один донорный $\varepsilon_1$. Кроме того, оказывается необходимым введение конечной емкости $C_1$ для акцепторного уровня $E_1$. В рамках принятой модели удается самосогласованно описать основные электрические свойства пластически деформированных германия и кремния. Речь идет о проводимости этих кристаллов в $n$ и $p$ состояниях, деталях инверсии типа проводимости дислокационного происхождения, особенностях ВАХ для кристаллов с ориентированным набором дислокаций, простейших релаксационных явлениях и т.д. При этом для германия уровень $E_1$ оказывается расположенным в окрестности $E_1\simeq 0,1$ эВ над потолком валентной зоны, а емкость $C_1\lesssim0,1$. В случае кремния $E_1\simeq0,4$ эВ, $C_1\lesssim0,1$. Обращает на себя внимание малость емкости $C_1$, что оправдывает введение этих дополнительных параметров в характиристики электронного спектра на дислокациях.