Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников

Представлен обзор современного состояния работ по сверхвысоковакуумной сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) молекул фуллеренов с использованием результатов исследований авторов. Основное внимание уделено рассмотрению взаимодействия фуллеренов C$_{60}$, C$_{70}$ и их смеси с поверхностями полупроводников (Si(111)-7$\times$7 и Si(100)-2$\times$1) и металлов (Cu(111)-1$\times$1 и Ag(111)-1$\times$1). Использование СТМ позволило осуществить прямое наблюдение адсорбционной геометрии фуллеренов и соответствующей реконструкции поверхности, а на изображениях с высоким разрешением — обнаружить внутримолекулярные структуры, которые проанализированы теоретически с привлечением модели локального распределения заряда. Приведены и обсуждаются результаты исследования упорядоченного роста пленок фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников.