RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Успехи физических наук // Архив

УФН, 1999, том 169, номер 2, страницы 209–212 (Mi ufn1570)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

МЕТОДИЧЕСКИЕ ЗАМЕТКИ

Долговременная релаксация неравновесной фотопроводимости в полупроводниковых соединениях типа АIIIВV

В. С. Вавиловa, П. К. Эфимиуb, Д. Е. Зардасb

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Department of Physics, University of Athens, Athens, Greece

Аннотация: Изменения электропроводности неметаллических твердых тел, продолжающие свое существование в течение длительного времени после прекращения светового возбуждения, были обнаружены еще в XIX в. Такая долговременная релаксация проводимости (ДР) находила практические применения еще до того, как были установлены главные понятия современной физики твердого тела. В настоящее время для описания и анализа явления ДР используют две дополняющие друг друга модели. В первой из них основой служит представление о захвате неравновесных носителей заряда точечными центрами локализации (ловушками). Это приводит к замедлению процессов рекомбинации генерируемых светом или заряженными частицами электронов и дырок. Согласно второй модели, имеет место также пространственное разделение электронов и дырок, рекомбинации которых препятствуют потенциальные барьеры. Ниже обсуждаются оба типа процессов и приводятся экспериментальные данные, причем особое внимание обращено на пространственное разделение носителей.

PACS: 72.20.Jv, 72.40.+w, 72.80.Ey

Поступила: 26 мая 1998 г.

DOI: 10.3367/UFNr.0169.199902e.0209


 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 1999, 42:2, 199–201

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024