Сверхизлучающий квантовый фазовый переход в полупроводнике при комнатной температуре: миф или реальность?

Рассматриваются условия и механизм возникновения нестационарного сверхизлучающего квантового фазового перехода в объемном полупроводнике при комнатной температуре в режиме сильной связи. Проведен анализ экспериментальных данных и произведено сравнение характерных свойств этого фазового перехода с изученными ранее квантовыми фазовыми переходами в системах ультрахолодных газах в ловушках, в ансамблях квантовых точек, сверхпроводящих кубитах и некоторых других. Продемонстрировано, что все основные свойства обнаруженного ранее коллективного состояния, образованного в процессе индуцированной конденсации электронно-дырочных пар при комнатной температуре, соответствуют картине сверхизлучающего фазового перехода, наблюдавшегося в других средах.