Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов

Разработка полупроводниковых нано- и субнаносекундных размыкателей больших токов необходима для развития современных исследований в области экспериментальной физики, а также радиоэлектроники. Разработка таких размыкателей крайне важна для увеличения мощности (до $10^{10}$ Вт) и частоты следования (до $10^4$ Гц) импульсных устройств. Главное внимание в обзоре уделено двум типам кремниевых диодов. Это дрейфовый диод с резким восстановлением (ДДРВ) и SOS-диоды. Первые позволяют получать плотность тока до $10^2$ А см$^{-2}$ и обрываемую мощность до $10^8$ Вт. Вторые, соответственно, до $10^5$ А см$^{-2}$ и $10^{10}$ Вт. Рассмотрена также возможность использования в качестве базового материала не только монокристаллического кремния, как в ДДРВ и SOS-диодах, но и монокристаллического карбида кремния SiC.