Аннотация:
Обобщены экспериментальные данные по свойствам примесных состояний в узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца. Представлены теоретические модели, описывающие нетривиальные особенности этих примесных состояний. Рассмотрены прикладные аспекты проблемы, связанные с использованием указанных материалов в качестве высокочувствительных приемников излучения дальнего ИК-диапазона.