Аннотация:
Изложены основные результаты исследований дефектно-примесного взаимодействия в имплантированном кремнии. Проанализированы факторы, влияющие на протекание квазихимических реакций: температура, уровень ионизации, внутренние электрические поля и поля упругих напряжений. Рассмотрены методы подавления образования остаточных нарушений (стержнеобразные дефекты, дислокационные петли), методы снижения коэффициентов диффузии примесей в имплантированном кремнии и методы геттерирования металлических примесей. Представлены примеры практической реализации дефектно-примесной инженерии в микроэлектронике.
PACS:61.72.Cc, 61.72.Tt, 61.72.Yx
Поступила:27 ноября 2002 г. Доработана: 29 апреля 2003 г.
Полный текст:
PDF файл (8285 kB)
