Аннотация:
Приведен анализ современного состояния исследований процессов и механизмов дефектообразования и трекообразования при облучении материалов быстрыми ионами. Показано, что природа и морфология треков зависят от типа твердых тел, структурного состояния и плотности выделенной энергии в их электронную подсистему. Релаксация сильных электронных возбуждений имеет доминирующее значение в процессе трекообразования. Обсуждаются механизмы формирования прерывистых треков, трековой миграции атомов и трекового каналирования ионов.
PACS:61.80.-x, 61.82.-d, 61.85.+p
Поступила:18 июля 2002 г. Доработана: 15 января 2003 г.
Полный текст:
PDF файл (8373 kB)
