Аннотация:
Представлен обзор основных применений диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах. Рассмотрены основы метода функционала электронной плотности и его реализации в различных программных пакетах. Проанализированы результаты первопринципных расчётов электронной структуры для трёх наиболее важных и перспективных диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью – Al$_2$O$_3$, HfO$_2$ и TiO$_2$.
PACS:71.15.Mb, 77.55.D-, 85.30.-z
Поступила:20 апреля 2009 г. Доработана: 20 августа 2009 г.