RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Успехи физических наук // Архив

УФН, 2010, том 180, номер 6, страницы 587–603 (Mi ufn2221)

Эта публикация цитируется в 70 статьях

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью

Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН

Аннотация: Представлен обзор основных применений диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах. Рассмотрены основы метода функционала электронной плотности и его реализации в различных программных пакетах. Проанализированы результаты первопринципных расчётов электронной структуры для трёх наиболее важных и перспективных диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью – Al$_2$O$_3$, HfO$_2$ и TiO$_2$.

PACS: 71.15.Mb, 77.55.D-, 85.30.-z

Поступила: 20 апреля 2009 г.
Доработана: 20 августа 2009 г.

DOI: 10.3367/UFNr.0180.201006b.0587


 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 2010, 53:6, 561–575

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024