RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Успехи физических наук // Архив

УФН, 2006, том 176, номер 2, страницы 222–227 (Mi ufn282)

Эта публикация цитируется в 1 статье

КОНФЕРЕНЦИИ И СИМПОЗИУМЫ

Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe

Е. Б. Ольшанецкийa, В. Ренарb, З. Д. Квонa, И. В. Горныйcd, А. И. Тороповa, Дж. С. Порталb

a Институт физики полупроводников СО РАН
b GHML, MPI-FKF/CNRS, Grenoble
c Institut für Nanotechnologie, Karlsruhe
d Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

PACS: 01.10.Fv, 71.27.+a, 71.30.+h, 72.15.Rn

DOI: 10.3367/UFNr.0176.200602g.0222


 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 2006, 49:2, 211–216

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024