RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Успехи физических наук // Архив

УФН, 2006, том 176, номер 10, страницы 1025–1038 (Mi ufn380)

Эта публикация цитируется в 43 статьях

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Теория Гинзбурга–Ландау для двузонных сверхпроводников

И. Н. Аскерзадеab

a Институт физики Национальной академии наук Азербайджана
b Department of Physics, Faculty of Sciences, Ankara University, Turkey

Аннотация: Дан обзор недавних исследований двузонных сверхпроводников в рамках теории Гинзбурга–Ландау (ГЛ). Температурная зависимость верхнего критического поля $H_{c2}(T)$, нижнего критического поля $H_{c1}(T)$, термодинамического магнитного поля $H_{cm}(T)$, критической плотности тока $j_c(T)$, намагниченности $M(T)$ в области верхнего критического поля, верхнего критического поля тонких пленок $H_{c2}^{\mathrm{film}}(T)$ исследованы в окрестности $T_c$ на основе двузонной теории ГЛ. Показано, что результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными для объемных образцов диборида магния $\mathrm{MgB}_2$ и немагнитных борокарбидов $\mathrm{LuNi}_2\mathrm{B}_2\mathrm{C}$, $\mathrm{YNi}_2\mathrm{B}_2\mathrm{C}$. Кроме того, двузонная теория ГЛ была применена для вычисления скачка теплоемкости, величина которого оказалась меньше, чем в однозонной теории ГЛ. Рассчитано верхнее критическое поле тонких пленок двузонных сверхпроводников. Исследованы особенности эффекта Литтла–Паркса в двузонной теории ГЛ. Показано, что квантование магнитного потока и соотношение между поверхностным критическим магнитным полем $H_{c3}(T)$ и верхним критическим полем $H_{c2}(T)$ являются такими же, как и в однозонной теории ГЛ. Представлено обобщение двузонной теории ГЛ для случая слоистой анизотропии. Рассчитанные параметры анизотропии верхнего критического поля $H_{c2}$ и лондоновской глубины проникновения $\lambda$ для монокристаллов $\mathrm{MgB}_2$ хорошо согласуются с экспериментальными данными и демонстрируют температурное поведение, противоположное таковому в однозонной теории ГЛ.

PACS: 74.20.De, 74.25.-q, 74.70.Ad

Поступила: 25 января 2006 г.

DOI: 10.3367/UFNr.0176.200610a.1025


 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 2006, 49:10, 1003–1016

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024