Аннотация:
Приведен краткий обзор литературы, посвященной теории фотоиндуцированных и тепловых шумов в полупроводниковых $p-n$ переходах. Рассчитаны координатные и частотные зависимости фотоиндуцированных шумов в $p^{+}-n$ переходе при локальном облучении его $n$-области. В отличие от вакуумных электронных ламп, в которых физические источники шумов токораспределения не раскрыты, в $p^{+}-n$ переходах шумы токораспределения вызываются флуктуациями локальных темпов рекомбинации и диффузии дырок в $n$-области. Белые спектры тепловых и фотоиндуцированных шумов на высоких частотах возникают при линейном возрастании концентрации дырок в направлении от области пространственного заряда и обусловлены взаимной компенсацией частотных зависимостей диффузионных шумовых токов и эффективной длины собирания шумов из $n$-области.