RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Успехи физических наук // Архив

УФН, 2013, том 183, номер 10, страницы 1115–1122 (Mi ufn4636)

Эта публикация цитируется в 30 статьях

ПРИБОРЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ

Современные тенденции развития технологий выращивания графена методом химического осаждения паров на медных подложках

И. В. Антонова

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Рассмотрены последние наиболее интересные достижения и тенденции развития технологий выращивания графена на медных подложках. Анализируются влияние качества подготовки подложки и других параметров процесса на свойства плёнок, полученных при разных давлениях и температурах на медной фольге и более тонких слоях меди. Обсуждаются способы получения крупных монокристаллических доменов графена и их свойства, а также технологии, не требующие переноса плёнки графена на диэлектрическую подложку. Ещё один обсуждаемый в статье важный подход — это возможность латерального роста графена от специально сформированных мультиграфеновых или углеродсодержащих зародышей и металлических катализаторов.

PACS: 68.65.Pq, 81.05.ue, 81.15.Gh, 81.16.Be

Поступила: 14 февраля 2013 г.
Доработана: 2 марта 2013 г.
Одобрена в печать: 27 февраля 2013 г.

DOI: 10.3367/UFNr.0183.201310i.1115


 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 2013, 56:10, 1013–1020

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024