Высокоразрешающая рентгеновская дифракция в кристаллических структурах с квантовыми точками

Представлено современное состояние неразрушающих исследований полупроводниковых структур с квантовыми точками (КТ) в рамках метода высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. С позиций формализма статистической теории дифракции рассмотрено когерентное и диффузное рассеяние рентгеновских лучей в кристаллических системах с нановключениями. Продемонстрировано влияние формы, упругих деформаций, латеральной и вертикальной корреляции КТ на угловое распределение диффузного рассеяния вблизи узла обратной решётки. На примере короткопериодных и многокомпонентных сверхрешёток с КТ показана эффективность модельного подхода для количественного анализа наноструктурированных материалов с использованием экспериментальных данных.