Электронная эмиссия из сегнетоэлектрических плазменных катодов

На основе анализа ранее и недавно полученных экспериментальных результатов показано, что интенсивная электронная эмиссия из диэлектрических катодов вызывается незавершенным разрядом по поверхности диэлектрика, oбycлoвленным наличием на ней тангенциальной составляющей электрического поля. Местами зарождения таких разрядов являются тройные точки (ТТ) металл–диэлектрик–вакуум. Плазма разряда, двигаясь по поверхности диэлектрического электрода, приводит к возникновению тока смещения и электрического микровзрыва в ТТ. При наличии большого числа ТТ, что обеспечивается металлической сеткой, плотно прижатой к сегнетоэлектрику, можно получать электронный ток до $10^4$ А плотностью порядка более чем $10^2$ А см$^{-2}$. Для инициирования поверхностного разряда на противоположную сторону сегнетоэлектрика наносят металлическое покрытие — подложку, на которую подают пусковой импульс. При опережающей подаче этого импульса по отношению к импульсу ускоряющего напряжения электронный ток многократно превышает ток Чайльда–Ленгмюра. Сегнетоэлектрический эффект обусловлен большой диэлектрической проницаемостью ($\varepsilon>10^3$) используемых материалов (BaTiO$_3$, PLZT, PZT). Такие катоды получили название сегнетоэлектрических. Однако для того, чтобы подчеркнуть важную роль плазменных эффектов, нами предложено называть их сегнетоэлектрическими плазменными (СЭП) катодами.