Физическая кинетика движения дислокаций в немагнитных кристаллах: взгляд через магнитное окно

Обсуждены новые закономерности кинематики магнитопластичности, установленные на основе физических экспериментов и компьютерного моделирования. Рассмотрено движение дислокаций через случайную сетку точечных дефектов под действием магнитного поля, переключающего примесные центры в состояние с пониженной силой пиннинга. Наряду с измеренными характеристиками, впервые изучены скрытые параметры движения, доступные лишь в компьютерных экспериментах. Показано, что распределение стопоров на дислокации не зависит от их концентрации $C$, а их среднее число и критическая сила отрыва дислокации пропорциональны $\sqrt {C}$. Предложена модель, в рамках которой впервые удалось объяснить наблюдаемую зависимость средней скорости дислокаций в магнитном поле: $v\propto 1/\sqrt {C}$. Из модели следует что существует скрытый резерв увеличения скорости $v$ на несколько порядков, — последнее уже реализовано в кристаллах NaCl при дополнительном воздействии на них слабого электрического поля.