Горячие электроны в оксиде кремния

Аморфный оксид кремния $\rm SiO_2$ является ключевым диэлектриком в технологии и конструкции кремниевых приборов. Оксид кремния используется, в частности, в качестве туннельного диэлектрика в приборах флэш-памяти. Пробивное поле $\rm SiO_2$ превышает $10^7$ В/см. В сильных электрических полях в $\rm SiO_2$ разыгрываются явления, которые не наблюдаются в кристаллических полупроводниках. В относительно слабых электрических полях ($10^4 - 10^6$ В/см) функция распределения электронов определяется рассеянием электронов на продольных оптических фононах. В полях >$10^6$ В/cм функция распределения определяется рассеянием электронов на акустических фононах.