Топологические состояния: что это и для чего? Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук, 29 ноября 2017 г.

29 ноября 2017 года в конференц-зале Физического института им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (РАН) состоялась Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук “Топологические состояния: что это и для чего?”.

Объявленная на web-сайте Отделения физических наук РАН www.gpad.ac.ru повестка заседания содержала следующие доклады:

1. Тарасенко С.А. (Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург). Электронные свойства топологических изоляторов.

2. Девятов Э.В. (Институт физики твердого тела РАН, г. Черноголовка, Московская обл.). Перенос заряда между сверхпроводником и краевым токонесущим состоянием в двумерной системе с инверсией зон.

3. Волков В.А. (Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва). Поверхностные состояния дираковских и вейлевских фермионов.

Далее в этом номере публикуется статья, написанная на основе доклада 1.