Электронные свойства топологических изоляторов. Структура краевых состояний и фотогальванические эффекты

Внесение идей топологии и топологических переходов в физику твёрдого тела привело к теоретическому предсказанию и последующему экспериментальному открытию топологических изоляторов — нового класса диэлектрических трёхмерных или квазидвумерных кристаллических систем, имеющих устойчивые проводящие поверхностные состояния. Представлен краткий обзор электронных свойств топологических изоляторов. Более подробно описана структура краевых и объёмных электронных состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах на основе соединения HgTe. Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования взаимодействия электромагнитного поля с топологическими изоляторами, краевых и поверхностных фотогальванических эффектов.