RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Успехи физических наук // Архив

УФН, 2008, том 178, номер 7, страницы 727–737 (Mi ufn619)

Эта публикация цитируется в 65 статьях

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния

В. А. Гриценко

Институт физики полупроводников СО РАН

Аннотация: Аморфные пленки оксида $\mathrm{SiO_2}$ и нитрида $\mathrm{Si_3N_4}$ кремния являются двумя ключевыми диэлектриками в современных кремниевых приборах. В настоящее время кроме технологии получения стехиометрических пленок $\mathrm{SiO_2}$, $\mathrm{Si_3N_4}$ разрабатывается технология создания нестехиометрических нитридов и оксидов кремния $\mathrm{SiO}_{x}\mathrm{N}_y$, $\mathrm{SiN}_x$, $\mathrm{SiO}_x$. Изменение химического состава этих соединений позволяет в широком диапазоне управлять их физическими (оптическими и электрическими) свойствами. Разработка технологии синтеза таких пленок требует детального понимания их атомной структуры. В обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении нестехиометрических нитридов и оксидов кремния.

PACS: 33.60.Fy, 61.43.-j, 61.66.Fn, 68.35.Dv, 71.55.Jv

Поступила: 17 марта 2008 г.

DOI: 10.3367/UFNr.0178.200807c.0727


 Англоязычная версия: Physics–Uspekhi, 2008, 51:7, 699–708

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024