Аннотация:
Аморфные пленки оксида $\mathrm{SiO_2}$ и нитрида $\mathrm{Si_3N_4}$ кремния являются двумя ключевыми диэлектриками в современных кремниевых приборах. В настоящее время кроме технологии получения стехиометрических пленок $\mathrm{SiO_2}$, $\mathrm{Si_3N_4}$ разрабатывается технология создания нестехиометрических нитридов и оксидов кремния $\mathrm{SiO}_{x}\mathrm{N}_y$, $\mathrm{SiN}_x$, $\mathrm{SiO}_x$. Изменение химического состава этих соединений позволяет в широком диапазоне управлять их физическими (оптическими и электрическими) свойствами. Разработка технологии синтеза таких пленок требует детального понимания их атомной структуры. В обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении нестехиометрических нитридов и оксидов кремния.